74AHC257；74AHCT257是高速硅柵CMOS器件，與低功耗肖特基TTL (LSTTL)針腳兼容。其規(guī)格符合JEDEC標準No. 7-A。

74AHC257；74AHCT257具有四個相同的2輸入多路復用器，帶3態(tài)輸出，其從兩個數(shù)據(jù)源選擇4位數(shù)據(jù)并受控于公共數(shù)據(jù)選擇輸入。輸入S為低電平時選中的是來自數(shù)據(jù)源0（1I0至4I0）的數(shù)據(jù)輸入，輸入S為高電平時選中的是來自數(shù)據(jù)源1（1I1至4I1）的數(shù)據(jù)輸入。來自所選輸入的數(shù)據(jù)以真正（非反相）形式出現(xiàn)在輸出（1Y至4Y）處。74AHC257；74AHCT257是4極2位置開關(guān)的邏輯實施，其中開關(guān)位置由施加到輸入S的邏輯電平確定。OE為高電平時，輸出被強制為高阻抗關(guān)斷狀態(tài)。

輸出的邏輯方程式為：

1Y = OE x (1I1 x S + 1I0 x S) 2Y = OE x (2I1 x S + 2I0 x S) 3Y = OE x (3I1 x S + 3I0 x S) 4Y = OE x (4I1 x S + 4I0 x S)

74AHC257；74AHCT257等同于74AHC258；74AHCT258，但具有非反相（真正）輸出。

• 平衡傳播延遲
• 所有輸入都具有施密特觸發(fā)動作
• 非反相數(shù)據(jù)路徑
• 輸入接受高于VCC的電壓
• 輸入電平：
  • 對于74AHC257：CMOS電平
  • 對于74AHCT257：TTL電平
• ESD保護：
  • HBM EIA/JESD22-A114E超過2000 V
  • MM EIA/JESD22-A115-A超過200 V
  • CDM EIA/JESD22-C101C超過1000 V
• 多種封裝選擇
• 額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

PTVS43VS1UTR - 高溫400 W瞬態(tài)電壓抑制器

BLP15M7160P - 功率LDMOS晶體管

P60D080PA6 - 安全高性能雙接口智能卡控制器

PSMN1R2-30YLD - N溝道30 V，1.2 mΩ邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56封裝，使用NextPowerS3技術(shù)

PMEG3010EJ - 1 A極低VF MEGA肖特基勢壘整流二極管

TDZ2V4J - 單倍齊納二極管

PDTD143EU - 500 mA、50 V PNP配電阻晶體管

BZV55-B6V2 - 穩(wěn)壓器二極管

CBT3306GM - 雙路總線開關(guān)

PESD5V0S2UAT - 采用SOT23封裝的雙ESD保護二極管