74AUP1G373提供帶3態(tài)輸出的單路D型透明鎖存器。鎖存使能(LE)輸入為高電平時(shí)，Q輸出跟隨數(shù)據(jù)(D)輸入。針腳LE為低電平時(shí)，鎖存器存儲(chǔ)針腳LE從高電平躍遷至低電平前的一個(gè)設(shè)置時(shí)間在D輸入處出現(xiàn)的信息。針腳OE為低電平時(shí)，鎖存器的內(nèi)容可在輸出處獲取。針腳OE為高電平時(shí)，輸出轉(zhuǎn)為高阻抗關(guān)斷狀態(tài)。輸入針腳OE的操作不會(huì)影響鎖存器的狀態(tài)。

所有輸入處的施密特觸發(fā)器動(dòng)作使電路容許整個(gè)0.8 V至3.6 V VCC范圍內(nèi)較慢的輸入上升和下降時(shí)間。

該器件可確保整個(gè)0.8 V至3.6 V VCC范圍內(nèi)的極低靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗。

該器件完全適合使用IOFF的局部掉電應(yīng)用。IOFF電路可禁用輸出，防止掉電時(shí)破壞性回流電流通過該器件。

• 0.8 V至3.6 V的寬電源電壓范圍
• 高抗噪性
• 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)：
  • JESD8-12（0.8 V至1.3 V）
  • JESD8-11（0.9 V至1.65 V）
  • JESD8-7（1.2 V至1.95 V）
  • JESD8-5（1.8 V至2.7 V）
  • JESD8-B（2.7 V至3.6 V）
• ESD保護(hù)：
  • HBM JESD22-A114F 3A類超過5000 V
  • MM JESD22-A115-A超過200 V
  • CDM JESD22-C101-E超過1000 V
• 低靜態(tài)功耗；ICC = 0.9 μA（最大）
• 閉鎖性能超過100 mA，符合JESD 78 II類標(biāo)準(zhǔn)
• 輸入可接受高達(dá)3.6 V的電壓
• 低噪聲過沖和欠沖，小于VCC的10 %
• IOFF電路提供局部掉電模式操作
• 多種封裝選擇
• 額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C