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74AUP1G885產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
74AUP1G885產(chǎn)品封裝圖一
74AUP1G885產(chǎn)品封裝圖二
74AUP1G885產(chǎn)品封裝圖三
74AUP1G885產(chǎn)品封裝圖四
74AUP1G885產(chǎn)品封裝圖五
NXP產(chǎn)品 - 74AUP1G885介紹
74AUP1G885 - 低功耗雙功能門

74AUP1G885是NXP公司的一款組合產(chǎn)品,74AUP1G885是低功耗雙功能門,本站介紹了74AUP1G885的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與74AUP1G885相關(guān)的NXP元器件型號供參考。

74AUP1G885 - 低功耗雙功能門 - 組合 - 門 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

74AUP1G885在單一器件內(nèi)提供兩種函數(shù)。輸出(1Y、2Y)的輸出狀態(tài)由輸入(A、B和C)確定。輸出1Y提供布爾函數(shù): 1Y = A × C。輸出2Y提供布爾函數(shù):2Y = A × B + A × C。

所有輸入的施密特觸發(fā)器動作使電路在0.8 V至3.6 V的整個VCC范圍內(nèi)容許較緩慢的輸入上升時間和下降時間。

該器件可確保在0.8 V至3.6 V的整個VCC范圍內(nèi)具有極低的靜態(tài)和動態(tài)功耗。

該器件完全指定用于使用IOFF的部分掉電應(yīng)用。IOFF電路可禁用輸出,從而防止掉電時電流回流對器件造成的損壞。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
  • 0.8 V至3.6 V的寬電源電壓范圍
  • 高抗噪性
  • 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn):
    • JESD8-12(0.8 V至1.3 V)
    • JESD8-11(0.9 V至1.65 V)
    • JESD8-7(1.2 V至1.95 V)
    • JESD8-5(1.8 V至2.7 V)
    • JESD8-B(2.7 V至3.6 V)
  • ESD保護(hù):
    • HBM JESD22-A114F 3A類超過5000 V
    • MM JESD22-A115-A超過200 V
    • CDM JESD22-C101E超過1000 V
  • 低靜態(tài)功耗;ICC = 0.9 μA(最大值)
  • 根據(jù)JESD78 II類,鎖存性能超過100 mA
  • 輸入接受高達(dá)3.6 V的電壓
  • 低噪聲過沖和欠沖<VCC的10 %
  • IOFF電路提供部分掉電模式操作
  • 多個封裝選項
  • 指定溫度范圍為–40 ℃至+85 ℃和–40 ℃至+125 ℃
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