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74AUP1Z04GM產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
74AUP1Z04GM產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - 74AUP1Z04GM介紹
74AUP1Z04GM - 低功耗晶體驅(qū)動(dòng)器,帶使能和內(nèi)部晶體管

74AUP1Z04GM是NXP公司的一款組合產(chǎn)品,74AUP1Z04GM是低功耗晶體驅(qū)動(dòng)器,帶使能和內(nèi)部晶體管,本站介紹了74AUP1Z04GM的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與74AUP1Z04GM相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

74AUP1Z04GM - 低功耗晶體驅(qū)動(dòng)器,帶使能和內(nèi)部晶體管 - 組合 - 門 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

74AUP1Z04結(jié)合了74AUP1GU04和74AUP1G04的功能以及使能電路和內(nèi)部偏置電阻,提供最適合晶體振蕩器應(yīng)用的器件。

不使用時(shí),可將EN輸入驅(qū)動(dòng)為高電平,從而將該器件置于低功耗禁用模式,其中X1通過(guò)RPU拉至高電平、X2設(shè)置為低電平、Y設(shè)置為高電平。EN輸入處的施密特觸發(fā)器動(dòng)作使電路容許整個(gè)0.8 V至3.6 V VCC 范圍內(nèi)較慢的輸入上升和下降時(shí)間。

該器件完全針對(duì)在輸出Y處使用IOFF的局部掉電應(yīng)用設(shè)計(jì)。IOFF電路可禁用輸出,防止掉電時(shí)破壞性回流電流通過(guò)該器件。

74AUP1Z04因集成了這兩個(gè)器件而在各種頻率和溫度范圍內(nèi)形成尺寸緊湊、功耗低和操作穩(wěn)定的優(yōu)勢(shì)。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • 0.8 V至3.6 V的寬電源電壓范圍
  • 高抗噪性
  • ESD保護(hù):
    • HBM JESD22-A114F 3A類超過(guò)5000 V
    • MM JESD22-A115-A超過(guò)200 V
    • CDM JESD22-C101E超過(guò)1000 V
  • 閉鎖性能超過(guò)100 mA,符合JESD78B II類標(biāo)準(zhǔn)
  • 輸入可接受高達(dá)3.6 V的電壓
  • 低噪聲過(guò)沖和欠沖,小于VCC的10 %
  • IOFF電路在輸出Y處提供局部掉電模式操作
  • 多種封裝選擇
  • 額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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