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74CBTLV1G125產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
74CBTLV1G125產(chǎn)品封裝圖一
74CBTLV1G125產(chǎn)品封裝圖二
74CBTLV1G125產(chǎn)品封裝圖三
74CBTLV1G125產(chǎn)品封裝圖四
74CBTLV1G125產(chǎn)品封裝圖五
NXP產(chǎn)品 - 74CBTLV1G125介紹
74CBTLV1G125 - 單路總線開關(guān)

74CBTLV1G125是NXP公司的一款通用開關(guān)產(chǎn)品,74CBTLV1G125是單路總線開關(guān),本站介紹了74CBTLV1G125的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與74CBTLV1G125相關(guān)的NXP元器件型號供參考。

74CBTLV1G125 - 單路總線開關(guān) - 通用開關(guān) - 邏輯 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

74CBTLV1G125提供單個(gè)高速線路開關(guān)。輸出使能(OE)輸入為高電平時(shí),該開關(guān)處于禁用狀態(tài)。

為確保上電或掉電期間的高阻抗關(guān)斷狀態(tài),通過上拉電阻將OE連接到VCC。驅(qū)動(dòng)器灌入電流的能力確定電阻的最小值。

控制輸入處的施密特觸發(fā)器動(dòng)作使該電路能容許整個(gè)2.3 V至3.6 V的VCC范圍內(nèi)較慢的輸入上升和下降時(shí)間。

該器件完全適合使用IOFF的局部掉電應(yīng)用。IOFF電路可禁用輸出,防止掉電時(shí)破壞性回流電流通過該器件。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
  • 2.3 V至3.6 V的電源電壓范圍
  • 高抗噪性
  • 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn):
    • JESD8-5(2.3 V至2.7 V)
    • JESD8-B/JESD36(2.7 V至3.6 V)
  • ESD保護(hù):
    • HBM JESD22-A114F超過2000 V
    • MM JESD22-A115-A超過200 V
    • CDM JESD22-C101E超過1000 V
  • 兩個(gè)端口之間的5 Ω開關(guān)連接
  • 數(shù)據(jù)I/O端口上的軌到軌切換
  • CMOS低功耗
  • 閉鎖性能滿足JESD78 I類要求
  • IOFF電路提供局部掉電模式操作
  • 多種封裝選擇
  • 額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C
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