74CBTLV1G125提供單個(gè)高速線路開(kāi)關(guān)。輸出使能(OE)輸入為高電平時(shí)，該開(kāi)關(guān)處于禁用狀態(tài)。

為確保上電或掉電期間的高阻抗關(guān)斷狀態(tài)，通過(guò)上拉電阻將OE連接到VCC。驅(qū)動(dòng)器灌入電流的能力確定電阻的最小值。

控制輸入處的施密特觸發(fā)器動(dòng)作使該電路能容許整個(gè)2.3 V至3.6 V的VCC范圍內(nèi)較慢的輸入上升和下降時(shí)間。

該器件完全適合使用IOFF的局部掉電應(yīng)用。IOFF電路可禁用輸出，防止掉電時(shí)破壞性回流電流通過(guò)該器件。

• 2.3 V至3.6 V的電源電壓范圍
• 高抗噪性
• 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)：
  • JESD8-5（2.3 V至2.7 V）
  • JESD8-B/JESD36（2.7 V至3.6 V）
• ESD保護(hù)：
  • HBM JESD22-A114F超過(guò)2000 V
  • MM JESD22-A115-A超過(guò)200 V
  • CDM JESD22-C101E超過(guò)1000 V
• 兩個(gè)端口之間的5 Ω開(kāi)關(guān)連接
• 數(shù)據(jù)I/O端口上的軌到軌切換
• CMOS低功耗
• 閉鎖性能滿足JESD78 I類(lèi)要求
• IOFF電路提供局部掉電模式操作
• 多種封裝選擇
• 額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C