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74CBTLV3125產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
74CBTLV3125產(chǎn)品封裝圖一
74CBTLV3125產(chǎn)品封裝圖二
74CBTLV3125產(chǎn)品封裝圖三
NXP產(chǎn)品 - 74CBTLV3125介紹
74CBTLV3125 - 4位總線開(kāi)關(guān)

74CBTLV3125是NXP公司的一款通用開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,74CBTLV3125是4位總線開(kāi)關(guān),本站介紹了74CBTLV3125的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與74CBTLV3125相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

74CBTLV3125 - 4位總線開(kāi)關(guān) - 通用開(kāi)關(guān) - 邏輯 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

74CBTLV3125提供具有單獨(dú)輸出使能輸入(1OE 至4OE)的4位高速總線開(kāi)關(guān)。開(kāi)關(guān)的低通態(tài)電阻允許以最小傳播延遲進(jìn)行連接。輸出使能(nOE)輸入為高電平時(shí),開(kāi)關(guān)禁用(高阻抗關(guān)斷狀態(tài))。

為確保上電或掉電期間的高阻抗關(guān)斷狀態(tài),nOE應(yīng)該通過(guò)上拉電阻連接到VCC。電阻的最低值由驅(qū)動(dòng)器的電流吸收能力決定。

施密特觸發(fā)器在控制輸入處工作,這使得電路在從2.3 V至3.6 V的整個(gè)VCC 范圍內(nèi)容許較慢輸入上升和下降時(shí)間。

該器件完全適用于部分使用IOFF的斷電應(yīng)用。IOFF電路禁用輸出,從而防止斷電時(shí)經(jīng)過(guò)該設(shè)備的破壞性回流電流。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • 電源電壓范圍從2.3 V至3.6 V
  • 標(biāo)準(zhǔn)“125”型引腳排列
  • 高抗噪性
  • 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn):
    • JESD8-5(2.3 V至2.7 V)
    • JESD8-B/JESD36(2.7 V至3.6 V)
  • ESD保護(hù):
    • HBM JESD22-A114F超過(guò)2000 V
    • MM JESD22-A115-A超過(guò)200 V
    • CDM AEC-Q100-011修訂版B超過(guò)1000 V
  • 兩個(gè)端口之間的5Ω開(kāi)關(guān)連接
  • 數(shù)據(jù)I/O端口上的軌到軌切換
  • 低功耗CMOS
  • 閉鎖性能超過(guò)JESD78B I類A級(jí)規(guī)定的250 mA
  • IOFF電路提供部分?jǐn)嚯娔J讲僮?/li>
  • 多種封裝選項(xiàng)
  • 額定溫度范圍為–40 ℃至+85 ℃和–40 ℃至+125 ℃
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