74HC123；74HCT123是高速硅柵CMOS器件，與低功率肖特基TTL (LSTTL)針腳兼容。其規(guī)格符合JEDEC標準no. 7A。

74HC123；74HCT123是輸出脈沖寬度由三種方法控制的雙可再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器。

基本脈沖通過選擇外部電阻(REXT)和電容(CEXT)進行編程。 一旦觸發(fā)，基本輸出脈沖寬度可通過再觸發(fā)門控低電平有效邊沿輸入(nA)或高電平有效邊沿輸入(nB)進行擴展。重復(fù)這一過程，就可按需形成輸出脈沖周期（nQ為高電平，nQ 為低電平）。或者，輸出延遲可通過輸入nRR上的低電平沿隨時終止，其還可抑制觸發(fā)。 從nRD到輸入門的內(nèi)部連接使其可以通過輸入nRD上的高電平沿信號觸發(fā)電路，如功能表中所示。

nA和nB輸入中的施密特觸發(fā)器操作使電路高度容許較慢的輸入上升和下降時間。

74HC123；74HCT123等同于74HC423；74HCT423，但可通過復(fù)位輸入觸發(fā)。

• 從高電平有效或低電平有效輸入觸發(fā)的直流
• 針對占空系數(shù)高達100 %的極長脈沖可再觸發(fā)
• 直接復(fù)位可終止輸出脈沖
• 除復(fù)位輸入外的所有輸入上的施密特觸發(fā)器動作
• ESD保護：
  • HBM JESD22-A114F超過2000 V
  • MM JESD22-A115-A超過200 V
• 額定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

MF3MODH2101DA4 - MIFARE DESFire EV1非接觸式多用途芯片

PSMN045-80YS - N溝道LFPAK 80 V 45 m?標準電平MOSFET

74HC4052PW - 雙路4通道模擬多路復(fù)用器/解復(fù)用器

PDTA123YT - PNP配電阻晶體管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 10 kOhm

74AHC123AD - 雙可再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器，帶重置

PEMB19; PUMB19 - PNP/PNP配電阻晶體管；R1 = 22 kOhm，R2 = 開路

TFA9879HN - 適合便攜式應(yīng)用且?guī)��?shù)字輸入的單聲道BTL D類音頻放大器

SL2ICS5401EW - ICODE SLI-S/ICODE SLI-S HC

74HCT2G32DC - 雙路2輸入或門

BUK7E2R3-40E - N溝道TrenchMOS標準電平FET