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74HC1G66GW產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
74HC1G66GW產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - 74HC1G66GW介紹
74HC1G66GW - 單刀單擲模擬開關(guān)

74HC1G66GW是NXP公司的一款模擬開關(guān)產(chǎn)品，74HC1G66GW是單刀單擲模擬開關(guān)，本站介紹了74HC1G66GW的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等，并給出了與74HC1G66GW相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

74HC1G66GW - 單刀單擲模擬開關(guān) - 模擬開關(guān) - 邏輯 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

74HC1G66和74HCT1G66是高速硅柵CMOS器件。它們是單刀單擲模擬開關(guān)。該開關(guān)具有兩個(gè)輸入/輸出引腳（Y和Z）以及一個(gè)有源高電平使能輸入引腳（E）。引腳E為低電平時(shí)，模擬開關(guān)會(huì)被關(guān)斷。

非標(biāo)準(zhǔn)輸出電流與74HC4066和74HCT4066的相等。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • 適用于74HC1G66的2.0 V至10.0 V寬電源電壓范圍
  • 極低導(dǎo)通電阻：
    • 45 Ω（典型值）（VCC = 4.5 V時(shí)）
    • 30 Ω（典型值）（VCC = 6.0 V時(shí)）
    • 25 Ω（典型值）（VCC = 9.0 V時(shí)）
  • 高抗噪性
  • 低功耗
  • 多個(gè)封裝選項(xiàng)
  • ESD保護(hù)：
    • HBM JESD22-A114E超過(guò)2000 V
    • MM JESD22-A115-A超過(guò)200 V
  • 指定溫度范圍為-40 °C至+85 °C以及-40 °C至+125 °C
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