74HC259；74HCT259是高速硅柵CMOS器件并且與低功耗肖特基TTL（LSTTL）引腳兼容。它們符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)No. 7A。

74HC259；74HCT259是高速8位可尋址鎖存器，設(shè)計(jì)用于數(shù)字系統(tǒng)的通用存儲應(yīng)用。它們是多功能器件，能夠?qū)�單線路數(shù)據(jù)存儲在八個可尋址鎖存器中。它們提供帶有源高電平輸出（Q0至Q7）的3到8線路解碼器和多路復(fù)用器功能。它們還包括一個可復(fù)位所有鎖存器的有源低電平通用復(fù)位（MR）以及一個有源低電平使能輸入（LE）。

74HC259；74HCT259具有四種操作模式：

在可尋址鎖存器模式下，數(shù)據(jù)線路（D）上的數(shù)據(jù)會被寫入尋址鎖存器。尋址鎖存器會跟蹤數(shù)據(jù)輸入，并且所有非尋址鎖存器仍保持之前狀態(tài)。 在存儲器模式下，所有鎖存器會保持之前的狀態(tài)，并且不受數(shù)據(jù)或地址輸入的影響。 在多路解復(fù)用模式（或3到8線路解碼模式）下，尋址輸出會跟蹤數(shù)據(jù)輸入（D）的狀態(tài)，并且所有其他輸出都處于低電平狀態(tài)。 在復(fù)位模式下，所有輸出為低電平，并且不受地址輸入（A0至A2）和數(shù)據(jù)輸入（D）的影響。

運(yùn)行74HC259時；74HCT259作為更改多個地址位的地址鎖存器，可實(shí)行一個瞬態(tài)錯誤地址。因此，這僅能在存儲器模式下實(shí)行。

• 結(jié)合多路解復(fù)用器和8位鎖存器
• 串并能力
• 每個存儲位的輸出可用
• 隨機(jī)（可尋址）數(shù)據(jù)錄入
• 可輕松擴(kuò)展
• 通用復(fù)位輸入
• 作為3到8線路有源高電平解碼器非常有用
• 輸入電平：
  • 對于74HC259：CMOS電平
  • 對于74HCT259：TTL電平
• ESD保護(hù)：
  • HBM JESD22-A114F超過2000 V
  • MM JESD22-A115-A超過200 V
  • CDM JESD22E超過1000 V
• 多個封裝選項(xiàng)
• 指定溫度范圍為-40 °C至+85 °C和-40 °C至+125 °C

PSMN5R0-100PS - N溝道100 V 5 mΩ標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET，采用TO-220封裝

PTVS13VP1UP - 600 W瞬態(tài)電壓抑制器

74LVC00A - 四路2輸入與非門

HEF4047B - 單穩(wěn)態(tài)/非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器

BLF578 - 功率LDMOS晶體管

BUK7Y15-60E - N-channel 60 V, 15 mΩ standard level MOSFET in LFPAK56

74LVC1G80GS - 單D型觸發(fā)器；正沿觸發(fā)器

74HCT27BQ - 三路3輸入或非門

SA58672 - 3.0 W單聲道D類音頻放大器

74HC05D - 六位元反相器，帶開漏輸出