74LV123是低壓硅柵CMOS器件，與74HC123；74HCT123針腳和功能兼容。該器件是雙可再觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器，輸出脈沖寬度控制通過(guò)三種方法實(shí)現(xiàn)：

基本脈沖時(shí)間通過(guò)選擇外部電阻(REXT)和電容(CEXT)進(jìn)行編程。 一旦觸發(fā)，基本輸出脈沖寬度可通過(guò)再觸發(fā)門控低電平有效邊沿輸入(nA)或高電平有效邊沿輸入(nB)進(jìn)行擴(kuò)展。重復(fù)這一過(guò)程，就可按需形成輸出脈沖周期（nQ為高電平，nQ 為低電平）。 或者，輸出延遲可通過(guò)輸入nRD上的低電平沿隨時(shí)終止，其還可抑制觸發(fā)。

nA和nB輸入中的施密特觸發(fā)器操作使電路高度容許較慢的輸入上升和下降時(shí)間。

• 最適合低壓應(yīng)用：1.0 V至5.5 V
• 接受介于VCC = 2.7 V和VCC = 3.6 V之間的TTL輸入電平
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C時(shí)的典型輸出地彈：< 0.8 V
• VCC = 3.3 V且Tamb = 25 °C時(shí)的典型高電平輸出電壓(VOH)欠沖：> 2 V
• 從高電平有效或低電平有效輸入觸發(fā)的直流
• 針對(duì)占空系數(shù)高達(dá)100 %的極長(zhǎng)脈沖可再觸發(fā)
• 直接復(fù)位可終止輸出脈沖
• 除復(fù)位輸入外的所有輸入上的施密特觸發(fā)器動(dòng)作

PDTC123JM - NPN配電阻晶體管；R1 = 2.2 kΩ，R2 = 47 kΩ

PMZ950UPE - 20 V，P溝道Trench MOSFET

74HCT2G16GV - Dual buffer gate

BZX585-C3V0 - 穩(wěn)壓器二極管

MF1PLUS8001DUD - 適用于快速簡(jiǎn)單的解決方案開發(fā)的主流非接觸式智能卡IC

PCF8536AT - 包含6通道PWM發(fā)生器的低復(fù)用率通用LCD驅(qū)動(dòng)器

74HC139D - 雙路2至4線路解碼器/解復(fù)用器

PMPB48EP - 30 V，單P溝道Trench MOSFET

HEF4014B - 8位靜態(tài)移位寄存器

74HC367DB - 六位元緩沖器/線路驅(qū)動(dòng)器；3態(tài)