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74LVC1G53GT產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
74LVC1G53GT產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - 74LVC1G53GT介紹
74LVC1G53GT - 2通道模擬多路復(fù)用器/解復(fù)用器

74LVC1G53GT是NXP公司的一款模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,74LVC1G53GT是2通道模擬多路復(fù)用器/解復(fù)用器,本站介紹了74LVC1G53GT的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與74LVC1G53GT相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

74LVC1G53GT - 2通道模擬多路復(fù)用器/解復(fù)用器 - 模擬開(kāi)關(guān) - 邏輯 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

74LVC1G53是低功耗低電壓的高速硅柵CMOS器件。

74LVC1G53提供一個(gè)模擬多路復(fù)用器/解復(fù)用器,帶一個(gè)數(shù)字選擇輸入(S)、兩個(gè)獨(dú)立輸入/輸出(Y0,y1)、一個(gè)公共輸入/輸出(Z)和一個(gè)低電平有效使能輸入(E)。針腳E為高電平時(shí),開(kāi)關(guān)關(guān)閉。

選擇輸入和使能輸入處的施密特觸發(fā)器動(dòng)作使電路容許整個(gè)1.65 V至5.5 V VCC范圍內(nèi)較慢的輸入上升和下降時(shí)間。

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • 1.65 V至5.5 V的寬電源電壓范圍
  • 極低導(dǎo)通電阻:
    • VCC = 2.7 V時(shí),7.5 ?(典型值)
    • VCC = 3.3 V時(shí),6.5 ?(典型值)
    • VCC = 5 V時(shí),6 ?(典型值)
  • 32 mA的開(kāi)關(guān)電流能力
  • 高抗噪性
  • CMOS低功耗
  • 3.3 V時(shí)的接口兼容性
  • 閉鎖性能滿足JESD 78 I類(lèi)的要求
  • ESD保護(hù):
    • HBM JESD22-A114F超過(guò)2000 V
    • MM JESD22-A115-A超過(guò)200 V
    • CDM JESD22-C101E超過(guò)1000 V
  • 控制輸入可接受高達(dá)5 V的電壓
  • 多種封裝選擇
  • 額定溫度范圍為–40 °C至+85 °C和–40 °C至+125 °C
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