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74LVC2G66GD技術(shù)文檔下載：
74LVC2G66GD產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
74LVC2G66GD - 雙向開(kāi)關(guān)
74LVC2G66GD是NXP公司的一款模擬開(kāi)關(guān)產(chǎn)品，74LVC2G66GD是雙向開(kāi)關(guān)，本站介紹了74LVC2G66GD的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等，并給出了與74LVC2G66GD相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。
74LVC2G66GD - 雙向開(kāi)關(guān) - 模擬開(kāi)關(guān) - 邏輯 - 恩智浦, LLC
產(chǎn)品描述
74LVC2G66是低功耗、低電壓、高速硅柵CMOS器件。
74LVC2G66提供兩個(gè)單刀單擲模擬開(kāi)關(guān)功能。每個(gè)開(kāi)關(guān)都具有兩個(gè)輸入/輸出終端（nY和nZ）以及一個(gè)有源高電平使能輸入（nE）。nE為低電平時(shí)，模擬開(kāi)關(guān)會(huì)被關(guān)斷。
使能輸入的施密特觸發(fā)器動(dòng)作使電路在1.65 V至5.5 V的整個(gè)VCC范圍內(nèi)容許較緩慢的輸入上升時(shí)間和下降時(shí)間。
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
- 1.65 V至5.5 V的寬電源電壓范圍
- 極低導(dǎo)通電阻：
- 7.5 Ω（典型值）（VCC = 2.7 V時(shí)）
- 6.5 Ω（典型值）（VCC = 3.3 V時(shí)）
- 6 Ω（典型值）（VCC = 5 V時(shí)）
- 32 mA的開(kāi)關(guān)電流能力
- 高抗噪性
- CMOS低功耗
- 3.3 V時(shí)的TTL接口兼容性
- 鎖存性能滿足JESD78 I類(lèi)的要求
- ESD保護(hù)：
- HBM JESD22-A114F超過(guò)2000 V
- MM JESD22-A115-A超過(guò)200 V
- 使能輸入可接受最高達(dá)5.5 V的電壓
- 多個(gè)封裝選項(xiàng)
- 指定溫度范圍為–40 ℃至+85 ℃和–40 ℃至+125 ℃
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