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BLA8G1011L-300產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
BLA8G1011L-300產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - BLA8G1011L-300介紹
BLA8G1011L-300 - Power LDMOS transistor

BLA8G1011L-300是NXP公司的一款RF功率晶體管產(chǎn)品,BLA8G1011L-300是Power LDMOS transistor,本站介紹了BLA8G1011L-300的封裝應(yīng)用圖解、特點和優(yōu)點、功能等,并給出了與BLA8G1011L-300相關(guān)的NXP元器件型號供參考。

BLA8G1011L-300 - Power LDMOS transistor - RF功率晶體管 - RF MMIC放大器與混頻器 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

300 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to1090 MHz.

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
  • Easy power control
  • Integrated ESD protection
  • Enhanced ruggedness
  • High efficiency
  • Excellent thermal stability
  • Designed for broadband operation (1030 MHz to 1090 MHz)
  • Internally matched for ease of use
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
產(chǎn)品應(yīng)用
  • Avionics transmitter applications in the 1030 MHz to 1090 MHz frequency range
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