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BLC8G27LS-60AV產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
BLC8G27LS-60AV產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - BLC8G27LS-60AV介紹
BLC8G27LS-60AV - Power LDMOS transistor

BLC8G27LS-60AV是NXP公司的一款RF功率晶體管產(chǎn)品,BLC8G27LS-60AV是Power LDMOS transistor,本站介紹了BLC8G27LS-60AV的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與BLC8G27LS-60AV相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

BLC8G27LS-60AV - Power LDMOS transistor - RF功率晶體管 - RF MMIC放大器與混頻器 - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

60 W LDMOS packaged asymmetrical Doherty power transistor for base station applications atfrequencies from 2300 MHz to 2690 MHz.

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • Excellent ruggedness
  • High efficiency
  • Low thermal resistance providing excellent thermal stability
  • Decoupling leads to enable improved video bandwidth
  • Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
  • Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
  • Internally matched for ease of use
  • Integrated ESD protection
  • Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances(RoHS)
產(chǎn)品應(yīng)用
  • RF power amplifier for LTE base stations and multi carrier applications in the 2300 MHz to 2690 MHz frequency range
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