該11位總線開關(guān)專為1.7 V至1.9 V VDD操作和SSTL_18選擇輸入電平而設(shè)計(jì)。

每個(gè)主機(jī)端口針腳(HPn)多路復(fù)用到四個(gè)DIMM端口針腳(xDPn)之一。選擇要連接到主機(jī)端口的DIMM端口由三個(gè)硬件選擇針腳S0、S1和EN驅(qū)動(dòng)的解碼器控制。將針腳EN驅(qū)動(dòng)為高電平可將所有DIMM端口從各自的主機(jī)端口斷開。EN驅(qū)動(dòng)為低電平時(shí)，針腳S0和S1可選擇要連接到各自主機(jī)端口的四個(gè)DIMM端口的其中之一。斷開時(shí)，任何DIMM端口由通常為400Ω的片上下拉電阻端接到外部提供的電壓Vbias。通態(tài)通過12Ω標(biāo)稱串聯(lián)電阻將主機(jī)端口連接到DIMM端口。該設(shè)計(jì)旨在實(shí)現(xiàn)在任何時(shí)候都只有一個(gè)DIMM端口處于活動(dòng)狀態(tài)。

CBTU4411也可以配置為支持通道10 (TRUE)和通道9（互補(bǔ)選通）上的差分選通信號(hào)。當(dāng)其LVCMOS配置輸入選通使能（STREN）為高電平時(shí)，通道10在DIMM端口處于閑置狀態(tài)時(shí)由電阻分壓器內(nèi)部上拉至VDD的3/4。CBTU4411處于禁用（選通模式下EN = 高電平）狀態(tài)時(shí)，通過將通道10拉至VDD可禁用通道10上的下拉以便節(jié)電。選通使能(STREN)為低電平時(shí)，通道10的特性與所有其他通道相同。

選擇輸入（S0，S1）是偽差分型SSTL_18。應(yīng)向輸入針腳VREF提供0.5VDD的標(biāo)稱參考電壓。該拓?fù)渫ㄟ^減少對(duì)選擇信號(hào)壓擺率的依賴而實(shí)現(xiàn)對(duì)開關(guān)時(shí)間的精確控制。提供的S0和S1具有0.5VDD的可選輸入終端（LVCMOS輸入TERM為高電平時(shí)有效）。CBTU4411處于禁用（EN = 高電平）狀態(tài)時(shí)，S0和S1輸入都會(huì)被拉至低電平。

該器件集成了極低的串?dāng)_設(shè)計(jì)。其在輸出之間具有極低的偏移(< 30 ps)，而在上升沿和下降沿之間則具有低偏移(< 30 ps)。該器件在DDR2數(shù)據(jù)總線應(yīng)用中具有最佳性能。

每個(gè)開關(guān)已經(jīng)針對(duì)連接到1或2級(jí)DIMM進(jìn)行優(yōu)化。

開關(guān)的低內(nèi)部RC時(shí)間常數(shù)允許在進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸時(shí)具有最小的傳播延遲。

CBTU4411的特點(diǎn)是工作溫度范圍為0 °C至+85 °C。

• 使能(EN)和選擇信號(hào)(S0, S1)兼容SSTL_18
• 最適合在雙數(shù)據(jù)速率2 (DDR2) SDRAM應(yīng)用中使用
• 適合與400 Mbit/s至800 Mbit/s、200 MHz至400 MHz DDR2數(shù)據(jù)總線一同使用
• 開關(guān)導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)為使DDR2 SDRAM無需串聯(lián)電阻
• 12 Ω導(dǎo)通電阻
• 受控啟用/禁用時(shí)間支持快速總線周轉(zhuǎn)
• 偽差分選擇輸入支持對(duì)開關(guān)時(shí)間精確的低偏移控制
• Sn輸入端上的可選內(nèi)置端接電阻
• xDPn端口上內(nèi)接的400Ω下拉電阻
• 禁用時(shí)實(shí)現(xiàn)最佳DIMM端口下拉的VBIAS輸入
• 可配置為空閑時(shí)在通道10上通過上拉至VDD的3/4支持差分選通
• 低差分偏移
• 匹配的上升/下降壓擺率
• 低串?dāng)_數(shù)據(jù)-數(shù)據(jù)/數(shù)據(jù)-DQM
• 通過2位編碼輸入實(shí)現(xiàn)的1 : 4開關(guān)位置簡(jiǎn)化控制
• 單輸入針腳將所有總線開關(guān)至于關(guān)斷（高阻抗）位置
• 閉鎖保護(hù)超過500 mA（根據(jù)JESD78）
• ESD保護(hù)：超過1500 V HBM（根據(jù)JESD22-A114）；超過750 V CDM（根據(jù)JESD22-C101）