CBTW28DD14ET是NXP公司的一款存儲器數(shù)據(jù)開關(guān)產(chǎn)品，CBTW28DD14ET是適合DDR2/DDR3/DDR4應(yīng)用的14位總線開關(guān)/多路復(fù)用器，本站介紹了CBTW28DD14ET的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等，并給出了與CBTW28DD14ET相關(guān)的NXP元器件型號供參考。
CBTW28DD14ET - 適合DDR2/DDR3/DDR4應(yīng)用的14位總線開關(guān)/多路復(fù)用器 - 存儲器數(shù)據(jù)開關(guān) - 接口與連接性 - 恩智浦, LLC
14位總線開關(guān)/多路復(fù)用器(MUX)專門針對1.5 V或1.8 V電源電壓操作、POD_12、SSTL_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信令以及CMOS選擇輸入電平而設(shè)計。其專為在DDR2、DDR3和DDR4存儲器總線系統(tǒng)中的操作而設(shè)計。
CBTW28DD14具有一個1 : 2開關(guān)或2 : 1多路復(fù)用拓?fù)�，并提供一個14位寬的總線。每個14位寬的A端口可以同時針對所有位切換到B和C這兩個端口的其中之一。端口選擇通過簡單的CMOS輸入(SELect)進(jìn)行。另一個CMOS輸入(ENable)可使所有端口都斷開。由于使用FET開關(guān)，每個端口都無方向性，從而可實(shí)現(xiàn)需要高帶寬開關(guān)或多路復(fù)用的多種應(yīng)用。
SEL和EN輸入信號設(shè)計為在1.5 V和1.8 V這兩個電源電壓條件下透明地作為CMOS輸入電平信號進(jìn)行操作。
CBTW28DD14采用恩智浦專有的高速開關(guān)架構(gòu)，提供高帶寬、低頻率下極低的插入損耗以及極低的傳播遲延，允許用于需要切換或多路復(fù)用高速信號的眾多應(yīng)用。為實(shí)現(xiàn)相對于電路板布局密度的最佳尺寸，其采用具有0.5 mm引腳間距的4.5 mm x 4.5 mm TFBGA48封裝。其特點(diǎn)是工作溫度范圍為-10 °C至+85 °C。
拓?fù)?/h3> - 14位總線寬度
- 1 : 2開關(guān)/MUX拓?fù)?/li>
- 雙向操作
- 單CMOS選擇針腳(SEL)
- 單CMOS使能針腳(EN)
性能
- 2.5 GHz帶寬
- 低導(dǎo)通插入損失
- 低串?dāng)_
- 高關(guān)斷隔離
- POD_12、SSTL_12、SSTL_135、SSTL_15或SSTL_18信令
- 低RON（典型值：10Ω）
一般屬性
- 1.5 V或1.8 V電源電壓操作
- 極低電源電流（典型值：300 μA）
- ESD抗擊打能力超過3 kV HBM、1 kV CDM
- 采用TFBGA48封裝，4.5 mm × 4.5 mm × 0.8 mm大小，0.5 mm間距，無鉛/深綠
產(chǎn)品應(yīng)用 - DDR2/DDR3/DDR4存儲器總線系統(tǒng)
- 需要高速多路復(fù)用的系統(tǒng)
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