射型收發(fā)器邏輯 - 收發(fā)器電壓鉗位(GTL-TVC)提供低ON狀態(tài)電阻和最小傳輸延遲的高速電壓變換。GTL2002提供2個帶有共柵(GREF)的NMOS傳輸晶體管（Sn和Dn）和一個參考晶體管（SREF和DREF）。該器件允許1.0 V和5.0 V之間的雙向電壓變換而無需使用方向引腳。

當Sn或Dn端口為低電平時，鉗位處于通態(tài)且Sn和Dn端口之間存在低電阻連接。假設Dn端口上為更高的電壓，當Dn端口為高電平時，Sn端口上的電壓限制為參考晶體管(SREF)設置的電壓。當Sn端口為高電平時，上拉電阻會將Dn端口上拉至VCC。此功能允許在用戶選擇的更高和更低電壓之間進行無縫變換，而無需方向控制。

所有晶體管具有相同的電特性，輸出間的電壓或傳輸延遲具有最小的偏差。由于晶體管是對稱制造的，所以這有利于分離式晶體管電壓變換解決方案。因為器件中的所有晶體管完全相同，所以可在任何其他兩個匹配Sn/Dn晶體管上尋找SREF和DREF，允許更方便的電路板布局。轉換器的晶體管為低電壓器件提供極佳的ESD保護并同時保護低ESD抗性器件。

• 2位雙向低電壓變換器
• 允許1.0 V、1.2 V、1.5 V、1.8 V、2.5 V、3.3 V和5 V總線（允許直接連接GTL、GTL+、LVTTL/TTL和5 V CMOS電平）之間的電壓電平變換
• 提供雙向電壓變換，無方向引腳
• 輸入和輸出引腳(Sn/Dn)之間有低6.5 Ω導通狀態(tài)阻抗(Ron)
• 支持熱插入
• 無需電源；不會閉鎖
• 5 V耐受輸入
• 低待機電流
• 直通引出線便于印刷電路板走線排布
• ESD保護：超過2000 V HBM（根據(jù)JESD22-A114）；超過1000 V CDM（根據(jù)JESD22-C101）
• 提供的封裝：SO8、TSSOP8 (MSOP8)、VSSOP8、XQFN8

• 需要雙向或單向電壓電平轉換（從1.0 V和5.0 V之間的任意電壓到1.0 V和5.0 V之間的任意電壓）的任何應用
• 無方向引腳的開漏結構非常適合雙向低電壓（例如，1.0 V、1.2 V、1.5 V或1.8 V）處理器I2C總線端口變換至普通3.3 V或5.0 V I2C總線信號電平或GTL/GTL+變換至LVTTL/TTL信號電平。