PCA24S08AD是NXP公司的一款I(lǐng)²C串行EEPROM/RAM產(chǎn)品，PCA24S08AD是帶有訪問保護的1024 x 8位CMOS EEPROM，本站介紹了PCA24S08AD的封裝應(yīng)用圖解、特點和優(yōu)點、功能等，并給出了與PCA24S08AD相關(guān)的NXP元器件型號供參考。
PCA24S08AD - 帶有訪問保護的1024 x 8位CMOS EEPROM - I²C串行EEPROM/RAM - I²C - 恩智浦, LLC
PCA24S08A提供8192位串行電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)，分為1024字，每個字有8位。通過串行I2C總線接收和發(fā)送數(shù)據(jù)字節(jié)。
通過I2C總線設(shè)置限制讀寫的存取權(quán)限，以防存儲區(qū)被非法存取。
PCA24S08A是與標(biāo)準(zhǔn)24C08串行EEPROM器件的引腳兼容而設(shè)計的，除了作為其地址引腳的引腳1、2和3以外。PCA24S08A串行EEPROM數(shù)據(jù)表中的其他例外，在第6.6節(jié)中敘述。
按與24C08串行EEPROM一致的方式，從最高有效位開始將所有數(shù)位發(fā)送至器件或從器件讀取。本文中的位字段相應(yīng)地在左側(cè)列為MSB而右側(cè)列為LSB。
EEPROM存儲器分為8個區(qū)，每個區(qū)1 kbit（128字節(jié)）。每個區(qū)內(nèi)，存儲器物理上組織為8頁，每頁128位（16字節(jié)）。除這些8 kbits外，還有兩個用于儲存存取保護和ID信息的128位頁面。PCA24S08A中提供的EEPROM存儲器共有8448位。
在區(qū)1至區(qū)7上以區(qū)為基礎(chǔ)而在區(qū)0上以頁面和區(qū)為基礎(chǔ)組織存取保護（讀取和寫入）。這些區(qū)和頁面的保護信息儲存在EEPROM存儲器的其中一個額外頁面上，與主要數(shù)據(jù)存儲陣列分開尋址。更多詳情，請參閱第6.4節(jié)。
ID值位于EEPROM的ID頁面，即另一個額外的16字節(jié)頁面上。
根據(jù)總線主器件遵守的協(xié)議，從串行接口寫入可一次包括1字節(jié)至16字節(jié)。所有頁面訪問必須正確對應(yīng)內(nèi)部EEPROM頁面。
EEPROM存儲器提供每字節(jié)100,000個寫入周期的使用壽命，數(shù)據(jù)可保留10年。寫入EEPROM需要不足5 ms即可完成。
制造后，所有EEPROM位均會設(shè)為值“1”。
- 組織為8塊分別為128字節(jié)的8 kbits非易失性存儲器
- I2C總線接口邏輯
- 兼容24C08串行EEPROM，以及不帶RF接口的Atmel AT24RF08C的備用源
- 寫入操作：
- 字節(jié)寫入模式
- 16字節(jié)頁面寫入模式
- 讀取操作：
- 連續(xù)讀取
- 隨機讀取
- 可編程訪問保護以限制讀取和寫入
- 鎖定/解鎖功能
- 寫保護功能可防止對已滿存儲器陣列進行寫入操作
- 自定時寫入周期
- 內(nèi)部上電復(fù)位
- 高可靠性：
- 十年非易失性數(shù)據(jù)保留時間
- 承受100,000個寫入周期
- 低功率CMOS技術(shù)
- 2.5 V至3.6 V的工作電源電壓范圍
- 0 Hz至400 kHz時鐘頻率
- ESD保護：按JESD22-A114超過2000 V HBM，按JESD22-A115超過200 V MM，按JESD22-C101超過1000 V CDM
- 已按照JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD78完成閉鎖測試，超過100 mA
- 提供封裝：SO8、TSSOP8
