PCF8594C-2是一款浮動門控電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)，具備4 kbits（512 x 8位）非易失性存儲器。通過使用內(nèi)部冗余存儲代碼，對單個位元錯誤有容錯功能。相比傳統(tǒng)的EEPROM，此功能顯著提升了可靠性。由于使用全CMOS技術(shù)，所以功耗很低。使用電壓倍增器片上生成編程電壓。

通過串行I2C總線接收和發(fā)送數(shù)據(jù)字節(jié)。可將最多四個PCF8594C-2器件連接至I2C總線。通過兩個地址輸入（A1和A2）完成芯片選擇。

內(nèi)部執(zhí)行E/W周期的定時，所以無需外部組件。引腳7編程時間控制(PTC)必須連接至VDD或保持開路。也可以使用外部時鐘對E/W周期的長度進(jìn)行定時。

• 低功率CMOS：
  • 2.0 mA最大工作電流
  • 最大待機(jī)電流為10 uA（6.0 V時），典型為4 uA
• 組織為512 x 8位的4 kbits非易失性存儲器
• 單電源，滿負(fù)載工作低至2.5 V
• 片上電壓倍增器
• 串行輸入/輸出I2C總線
• 寫入操作：
  • 字節(jié)寫入模式
  • 8字節(jié)頁面寫入模式（每個字節(jié)的總寫入時間最小化）
• 讀取操作：
  • 連續(xù)讀取
  • 隨機(jī)讀取
• 用于寫入的內(nèi)部定時器（無外部組件）
• 內(nèi)部上電復(fù)位
• 0 kHz至100 kHz時鐘頻率
• 通過使用冗余存儲代碼實(shí)現(xiàn)高可靠性
• 承受：Tamb = 22Cel時為1,000,000個擦除/寫入(E/W)周期
• 10年非易失性數(shù)據(jù)保留時間
• ESD保護(hù)：按JESD22-A114超過2000 V HBM，按JESD22-A115超過150 V MM，按JESD22-C101超過1000 V CDM
• 已按照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD78完成閉鎖測試，超過100 mA
• 提供DIP8和SO8封裝。