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PMCM6501VNE產(chǎn)品應(yīng)用圖解:
PMCM6501VNE產(chǎn)品封裝圖一
NXP產(chǎn)品 - PMCM6501VNE介紹
PMCM6501VNE - 12 V, N-channel Trench MOSFET

PMCM6501VNE是NXP公司的一款通用MOSFET產(chǎn)品,PMCM6501VNE是12 V, N-channel Trench MOSFET,本站介紹了PMCM6501VNE的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等,并給出了與PMCM6501VNE相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。

PMCM6501VNE - 12 V, N-channel Trench MOSFET - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC

產(chǎn)品描述

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 6 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.

產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
  • Low threshold voltage
  • Ultra small package: 0.98 × 1.48 × 0.35 mm
  • Trench MOSFET technology
  • ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
產(chǎn)品應(yīng)用
  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • Low-side loadswitch
  • Switching circuits
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