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PSMN4R2-30MLD產品應用圖解:
PSMN4R2-30MLD產品封裝圖一
NXP產品 - PSMN4R2-30MLD介紹
PSMN4R2-30MLD - N溝道30 V,4.2 mΩ邏輯電平MOSFET,采用LFPAK33封裝,使用NextPowerS3技術

PSMN4R2-30MLD是NXP公司的一款通用MOSFET產品,PSMN4R2-30MLD是N溝道30 V,4.2 mΩ邏輯電平MOSFET,采用LFPAK33封裝,使用NextPowerS3技術,本站介紹了PSMN4R2-30MLD的封裝應用圖解、特點和優(yōu)點、功能等,并給出了與PSMN4R2-30MLD相關的NXP元器件型號供參考。

PSMN4R2-30MLD - N溝道30 V,4.2 mΩ邏輯電平MOSFET,采用LFPAK33封裝,使用NextPowerS3技術 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC

產品描述

邏輯電平柵極驅動N溝道增強型MOSFET,采用LFPAK33封裝。NextPowerS3產品組合利用恩智浦特有的“SchottkyPlus”技術,提供高頻率低峰值性能,通常只有集成肖特基或類肖特基二極管的MOSFET才具有這種性能,并且沒有令人煩惱的高漏電流問題。NextPowerS3特別適合于高開關頻率下的高效應用。

產品特性和優(yōu)勢
  • 超低QG、QGD和QOSS,可實現(xiàn)系統(tǒng)高效率,尤其是在開關頻率較高時
  • 帶軟恢復功能的超快速開關性能;s-factor > 1
  • 針對低EMI設計的低峰值和振鈴
  • 特有的“SchottkyPlus”技術;類肖特基性能:漏電流<1?μA(25?°C時)
  • 最適合4.5 V柵極驅動
  • 低寄生電感和電阻
  • 高可靠性夾片粘合和芯片焊接Mini Power SO8封裝;無膠合、無焊線,額定工作溫度為175?°C
  • 外露引腳,可實現(xiàn)最佳焊點目測
產品應用
  • 適合服務器和電信的板載DC-DC解決方案
  • 電信應用中的次級側同步整流
  • 電壓調節(jié)器模塊(VRM)
  • 負載點(POL)模塊
  • 針對V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系統(tǒng)組件的功率輸出
  • 有刷與無刷馬達控制
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