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PSMN4R8-100BSE技術(shù)文檔下載：
PSMN4R8-100BSE產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
PSMN4R8-100BSE - N溝道100 V 4.8 mΩ標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET，采用D2PAK封裝
PSMN4R8-100BSE是NXP公司的一款通用MOSFET產(chǎn)品，PSMN4R8-100BSE是N溝道100 V 4.8 mΩ標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET，采用D2PAK封裝，本站介紹了PSMN4R8-100BSE的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等，并給出了與PSMN4R8-100BSE相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。
PSMN4R8-100BSE - N溝道100 V 4.8 mΩ標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET，采用D2PAK封裝 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC
產(chǎn)品描述
標(biāo)準(zhǔn)電平N溝道MOSFET，采用D2PAK封裝，額定工作溫度為175 °C。作為恩智浦“NextPower Live”產(chǎn)品組合的一部分，PSMN4R8-100BSE進(jìn)一步拓展了最新的“熱插拔”控制器——耐用程度足以承受開(kāi)啟期間的大量浪涌電流，同時(shí)提供低RDS(on)特性，可在持續(xù)使用期間保持低溫高效。 非常適合基于48 V背板/供電軌的通信系統(tǒng)。
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
- 增強(qiáng)型正向偏壓安全工作區(qū)，可實(shí)現(xiàn)卓越的線性模式運(yùn)行
- 極低RDS(on)，可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損耗
產(chǎn)品應(yīng)用
- 電子保險(xiǎn)絲
- 熱插拔
- 負(fù)載開(kāi)關(guān)
- 軟啟動(dòng)
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