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PSMN6R0-30YLB技術(shù)文檔下載：
PSMN6R0-30YLB產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
PSMN6R0-30YLB - N溝道30 V 6.5 m?邏輯電平MOSFET，采用LFPAK封裝，使用NextPower技術(shù)
PSMN6R0-30YLB是NXP公司的一款通用MOSFET產(chǎn)品，PSMN6R0-30YLB是N溝道30 V 6.5 m?邏輯電平MOSFET，采用LFPAK封裝，使用NextPower技術(shù)，本站介紹了PSMN6R0-30YLB的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等，并給出了與PSMN6R0-30YLB相關(guān)的NXP元器件型號供參考。
PSMN6R0-30YLB - N溝道30 V 6.5 m?邏輯電平MOSFET，采用LFPAK封裝，使用NextPower技術(shù) - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC
產(chǎn)品描述
邏輯電平增強(qiáng)型N溝道MOSFET，采用LFPAK封裝。該產(chǎn)品設(shè)計適用于各種工業(yè)、通信及家用設(shè)備。
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢
- 高可靠性Power SO8封裝，額定溫度為175°C
- 低寄生電感和電阻
- 采用NextPower超結(jié)技術(shù)，最適合4.5V柵極驅(qū)動
- 超低QG、QGD和QOSS，高/低負(fù)載時可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)高效率
產(chǎn)品應(yīng)用
- DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 負(fù)載開關(guān)
- 同步降壓調(diào)節(jié)器
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