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PSMN9R1-30YL技術文檔下載：
PSMN9R1-30YL產品應用圖解：
PSMN9R1-30YL - N溝道9.1 m? 30 V TrenchMOS邏輯電平FET，采用LFPAK封裝
PSMN9R1-30YL是NXP公司的一款通用MOSFET產品，PSMN9R1-30YL是N溝道9.1 m? 30 V TrenchMOS邏輯電平FET，采用LFPAK封裝，本站介紹了PSMN9R1-30YL的封裝應用圖解、特點和優(yōu)點、功能等，并給出了與PSMN9R1-30YL相關的NXP元器件型號供參考。
PSMN9R1-30YL - N溝道9.1 m? 30 V TrenchMOS邏輯電平FET，采用LFPAK封裝 - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC
產品描述
邏輯電平N溝道增強型場效應晶體管(FET)，采用塑料封裝，使用TrenchMOS技術。該產品僅設計適合用于工業(yè)和通信應用。
產品特性和優(yōu)勢
- 低開關和導通損耗，因而效率高
- 適用于邏輯電平柵極驅動源
產品應用
- D級放大器
- DC-DC轉換器
- 馬達控制
- 服務器電源
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