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PSMN1R4-40YLD技術(shù)文檔下載：
PSMN1R4-40YLD產(chǎn)品應(yīng)用圖解：
PSMN1R4-40YLD - N溝道40 V，1.4 mΩ邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56封裝，使用NextPowerS3技術(shù)
PSMN1R4-40YLD是NXP公司的一款通用MOSFET產(chǎn)品，PSMN1R4-40YLD是N溝道40 V，1.4 mΩ邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56封裝，使用NextPowerS3技術(shù)，本站介紹了PSMN1R4-40YLD的封裝應(yīng)用圖解、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)、功能等，并給出了與PSMN1R4-40YLD相關(guān)的NXP元器件型號(hào)供參考。
PSMN1R4-40YLD - N溝道40 V，1.4 mΩ邏輯電平MOSFET，采用LFPAK56封裝，使用NextPowerS3技術(shù) - 通用MOSFET - MOSFET - 恩智浦, LLC
產(chǎn)品描述
邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)N溝道增強(qiáng)型MOSFET，在175°C下采用LFPAK56封裝，使用先進(jìn)的TrenchMOS超結(jié)技術(shù)。該產(chǎn)品設(shè)計(jì)適用于高性能電源開關(guān)應(yīng)用。
產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)
- NextPower-S3技術(shù)可實(shí)現(xiàn)"帶軟恢復(fù)功能的超快速開關(guān)性能"
- 低QRR、QG和QGD，可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)效率高和EMI低的設(shè)計(jì)
- Schottky-Plus本體二極管可實(shí)現(xiàn)無(wú)相關(guān)IDSS高漏電流的軟開關(guān)性能
- 采用NextPower-S3超結(jié)技術(shù)，最適合4.5V柵極驅(qū)動(dòng)
- 高可靠性LFPAK (Power SO8)封裝、銅夾片、芯片焊接，額定溫度為175°C
- 外露引腳可實(shí)現(xiàn)波峰焊、焊點(diǎn)目測(cè)和高品質(zhì)焊點(diǎn)
- 低寄生電感和電阻
產(chǎn)品應(yīng)用
- 同步整流
- DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 高性能與高效服務(wù)器電源
- 電機(jī)控制
- 電源OR-ing
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